射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source
上海伯東代理美國 KRi 考夫曼品牌離子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在 2MHz, 電子自動匹配, 固定匹配網絡. 離子源 RF2100ICP 適用于預清潔, 氧化和氮化處理, 輔助沉積, 以及各類半導體材料, 磁性金屬等的制備.

KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源特性
通過 RFICP 放電激活等離子體: 產生 100% O?, N? 反應等離子束
寬束發散等離子束(準中性): 大出口平面孔徑, 提高覆蓋范圍和均勻性
輸出低能量離子: 最大限度地減少襯底損壞
無提取柵網: 減少復雜性, 降低維護成本和潛在污染源
可靠的等離子點火電路: 專用電子源僅在等離子體啟動時開啟
離子源自動控制和調節: 自動排序和射頻阻抗匹配
無水冷卻: 消除真空中水泄漏的風險
適用于不同的轟擊距離: 一般為 15 至 45厘米


KRi RF2100 ICP 射頻等離子體源參數

Dishcharge	電感耦合
RF discharge power	600W
輸出電流	> 500mA (取決于功率,壓力和氣體)
通 Ar 能量范圍	5-50V (取決于功率和壓力)
等離子尺寸@源打開	14cmφ
離子束形狀	發散
點火	電子源
氣體	Ar, O?, N?, H?/Ar blend
壓力	0.5-10mTorr (取決于氣體種類)
氣體流量	5-60sccm (取決于抽速, 氣體, 壓力和功率)
冷卻	無水冷卻
一般高度	9.25” (23.5cm)
直徑	7.675” (19.5cm

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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