美國 KRi 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國KRi 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流 > 750 mA, KRi 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

KRi 霍爾離子源 eH 400 特性
高離子束電流滿足沉積率的臨界到達比
低離子能量通過避免高能離子對表面和界面的轟擊損傷而使產量更大化
寬束, 發散離子束通過均勻地覆蓋沉積區從而增加每次加工零件數量來提高吞吐量
堅固耐用的模塊化結構降低了備件耗材和維護時間, 減少維護成本和停機時間
無柵網, 緊湊設計, 方便加裝, 提供離子輔助功能


KRi 霍爾離子源 eH 400 技術參數:

型號	eH 400
陽極	DC
陽極電流(最大)	5A
離子束流(最大)	>750mA
陽極電壓范圍	40-300V
離子能量范圍	25-300eV
陽極功率(最大)	500W (輻射冷卻)
氣體	惰性氣體和反應氣體
氣體流量	3-30 sccm
壓力	< 1 x 10-3 Torr
離子束流直徑	4cm Φ
離子束發散角度	> 45° (hwhm)
陰極中和器	沉浸式或非沉浸式
高度	3.0” (7.62cm)
直徑	3.7” (9.4cm)

KRi 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
電子束蒸發, 磁控濺射中的 IBAD 輔助鍍膜
沉積前的預清潔
類金剛石碳涂層
低能離子束蝕刻
離子束濺射

KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 典型案例:
設備: 美國進口 e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: EH 400
應用: IBAD 輔助鍍膜, 通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子 / 分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化或通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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