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KRI 離子源應(yīng)用
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KRI 離子源應(yīng)用

KRI 離子源應(yīng)用
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源主要應(yīng)用于真空環(huán)境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

 常見的工藝應(yīng)用

簡稱

 In-Situ Substrate Preclean 基片預清洗

PC

 Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 離子束材料和表面改性
 - Surface polishing or smoothing 表面拋光
 - Surface nano structures and texturing 改變納米結(jié)構(gòu)和紋理
 - Ion figuring and enhancement 離子刻蝕成形
 - Ion trimming and tuning 離子表面優(yōu)化
 - Surface activated bonding

IBSM




SAB

 Ion Beam Assisted Deposition 離子束輔助沉積

IBAD

 Ion Beam Etching 離子蝕刻
 - Reactive Ion Beam Etching 反應(yīng)離子蝕刻
 - Chemically Assisted Ion Beam Etching 化學輔助離子蝕刻

IBE
RIBE
CAIBE

 Ion Beam Sputter Deposition 磁控濺射輔助沉積
 - Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反應(yīng)離子磁控濺射沉積
 - Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏壓離子束磁控濺射

IBSD
RIBSD
BTIBSD

 Direct Deposition 直接沉積
 - Hard and functional coatings 硬質(zhì)和功能膜

DD


作為一種新興的材料加工技術(shù), 美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術(shù)性能, 協(xié)助客戶獲得理想的薄膜和材料表面性能. 行業(yè)涉及精密光學, 半導體制造, 傳感器, 醫(yī)學等多個領(lǐng)域.

薄膜鍍膜
 

精密薄膜控制
薄膜為若干單層膜

考夫曼離子源
 

半導體
可重復使用的金屬涂層附著力

離子蝕刻
 

蝕刻晶元
刻蝕均勻性和臨界幾何尺寸

離子源
 

MEMS, 傳感器和顯示器
表面優(yōu)化
 

離子源
 

精密光學
薄膜致密穩(wěn)定, 折射率優(yōu)化, 吸收率低

離子源
 

磁數(shù)據(jù)存儲
金屬和介質(zhì)多層堆疊中納米特性的各向異性和均勻腐蝕


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解 KRi 離子源, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 葉小姐                                  臺灣伯東: 王小姐
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