Aston™ 質(zhì)譜分析儀應(yīng)用于沉積和刻蝕 3D NAND 存儲(chǔ)器
3D NAND 工藝通過(guò)堆疊存儲(chǔ)單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston™ 質(zhì)譜分析儀適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應(yīng)用中:  實(shí)時(shí)過(guò)程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動(dòng)自動(dòng)化工具調(diào)整以實(shí)現(xiàn)過(guò)程控制, 沉積步驟之間的終點(diǎn)檢測(cè), 實(shí)現(xiàn)層的化學(xué)計(jì)量工程; 蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測(cè)量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點(diǎn)腔室清潔.


3D NAND 工藝概述

工藝步驟
	堆疊沉積: 交替氧化物（藍(lán)色）和氮化物（綠色）薄膜沉積（每個(gè)堆疊 >200 對(duì)）	通道蝕刻: 沉積硬掩模, 形成開(kāi)口, 高縱橫比通道貫穿所有層（每個(gè)晶片>1 萬(wàn)億個(gè)孔）	階梯蝕刻: 字線的接觸焊盤(pán)是使用產(chǎn)生階梯結(jié)構(gòu)的受控蝕刻來(lái)創(chuàng)建的.
ASTON 優(yōu)勢(shì)	均勻的厚度對(duì)電氣性能至關(guān)重要. Aston™ 質(zhì)譜分析儀可實(shí)現(xiàn)厚度控制, 層定義和化學(xué)計(jì)量工程.	高縱橫比通道孔需要從上到下完整且均勻, 沒(méi)有彎曲或扭曲. Aston™ 質(zhì)譜能夠在腔內(nèi)測(cè)量蝕刻反應(yīng)物.	蝕刻輪廓控制精度（埃）. 蝕刻深度能力（微米）. Aston™ 質(zhì)譜儀通過(guò)動(dòng)態(tài)測(cè)量化學(xué)物質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)蝕刻
工藝步驟
	狹縫蝕刻: 沉積硬掩模層, 形成硬開(kāi)口圖案, 蝕刻狹縫以分離通道孔列. 這將創(chuàng)建一個(gè)存儲(chǔ)單元陣列.	字線沉積: 在一些 3D NAND 方案中, 除去氮化物層, 然后使用由內(nèi)向外的原子層沉積工藝（紫色）創(chuàng)建鎢字線.	晶圓上最終 3D NAND 結(jié)構(gòu)的橫截面
ASTON優(yōu)勢(shì)	Aston™ 質(zhì)譜儀通過(guò)連續(xù)測(cè)量反應(yīng)物來(lái)實(shí)現(xiàn)蝕刻的均勻性和精度.	除去氮化層并填充鎢. Aston™ 質(zhì)譜儀實(shí)現(xiàn)了分子水平的控制.

來(lái)源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM
 

Aston™ 質(zhì)譜儀優(yōu)勢(shì)
ppb 級(jí)靈敏度的高速采樣
非常適合高縱橫比的 3D 結(jié)構(gòu)
耐腐蝕性氣體, 堅(jiān)固緊湊
易于集成到工具平臺(tái)中
沉積應(yīng)用中:  實(shí)時(shí)過(guò)程氣體監(jiān)控，以驅(qū)動(dòng)自動(dòng)化工具調(diào)整以實(shí)現(xiàn)過(guò)程控制, 沉積步驟之間的終點(diǎn)檢測(cè), 實(shí)現(xiàn)層的化學(xué)計(jì)量工程
蝕刻應(yīng)用中: 以 ppb 為單位測(cè)量的工藝氣體和副產(chǎn)品, 啟用端點(diǎn)腔室清潔
 

Atonarp  Aston™ 技術(shù)參數(shù)

類(lèi)型	Impact-300	Impact-300DP	Plasma-200	Plasma-200DP	Plasma-300	Plasma-300DP
型號(hào)	AST3007	AST3006	AST3005	AST3004	AST3003	AST3002
質(zhì)量分離	四級(jí)桿
真空系統(tǒng)	分子泵	分子泵 隔膜泵	分子泵	分子泵 隔膜泵	分子泵	分子泵 隔膜泵
檢測(cè)器	FC /SEM
質(zhì)量范圍	2-285		2-220		2-285
分辨率	0.8±0.2
檢測(cè)限	0.1 PPM
工作溫度	15-35“℃
功率	350 W
重量	15 kg
尺寸	299 x 218 x 331 LxWxH(mm)		400 x 240 x 325 LxWxH(mm)

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