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飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+
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飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+

飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+
上海伯東代理飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+, 表面靈感度高, 提供表面幾個原子層的分子, 元素及其同位素的組成信息. 先進的多功能 PHI nanoTOF 3+ 具有更強大的微區分析能力,更加出色的分析精度.

飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+
最新一代 TRIFT 質量分析器, 更好的質量分辨率
適用于絕緣材料的無人值守自動化多樣品分析
獨特的離子束技術
平行成像 MS / MS 功能, 助力有機大分子結構分析
多功能選配附件

PHI nanoTOF 3+ 性能指標(用Bi3++初次離子源)
低質量數質量分辨率:≥ 15,000 m/Δm at m/z = 28Si+ on silicon wafer
絕緣樣品質量分辨率: ≥ 15,000 m/Δm at m/z = C7H4O+ on the polymer PET
最小數斑尺寸:50nm (最小脈沖束斑直徑)
0.5um (在高質量分辨率條件下的最小脈沖束斑直徑)

氬團簇離子源 (Ar-GCIB) :  有機材料深度剖析
使用氬團簇離子源 (Ar-GCIB) 能夠有效減少濺射過程中對有機材料的破壞, 從而在刻蝕過程中保留有機大分子結構信息.

Cs源和 Ar/O2 源: 無機材料深度剖析
可根據測試需求選擇不同的離子源提高二次離子產額, 使用 Cs 源可增強負離子產額, O2源可增強正離子產額

飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+ 應用場景
上海伯東 PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質量分辨和高空間分辨的 TOF-SIMS 分析: 在高質量分辨模式下, 其空間分辨率優于 500 nm

在高空間分辨模式下, 其空間分辨模式優于50 nm. 通過結合高強度離子源, 高精度脈沖組件和高分辨率質量分析器, 可以實現低噪聲, 高靈敏度和高質量分辨率的測量; 在這兩種模式下, 只需幾分鐘的測試時間,均可完成采譜分析.
飛行時間二次離子質譜儀 PHI nanoTOF 3+

什么是飛行時間二次離子質譜儀 TOF- SIMS
TOF-SIMS(Time of flight Secondary lon Mass Spectrometry) 是利用脈沖離子東轟擊樣品表面產生二次離子, 經飛行時間分析器分析二次離子到達探測器的時間, 從而獲得樣品表面成份信息的分析技術. 其表面靈感度高, 提供表面幾個原子層的分子, 元素及其同位素的組成信息, 運用于所有元素和同位素, 包括氫元素.


若您需要進一步的了解 飛行時間二次離子質譜儀 詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
M: +86 13918837267 ( 微信同號 )     T: +886-3-567-9508 ext 161
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