氦質(zhì)譜檢漏儀半導(dǎo)體特殊器件檢漏
半導(dǎo)體器件 semiconductor device 通常利用不同的半導(dǎo)體材料, 采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu), 已研制出種類繁多, 功能用途各異的多種晶體二極管, 晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻, 高頻, 微波, 毫米波, 紅外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各種晶體管 ( 又稱晶體三極管 ). 晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩類.

半導(dǎo)體特殊器件檢漏原因
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間, 利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件, 可用來產(chǎn)生, 控制, 接收, 變換, 放大信號和進行能量轉(zhuǎn)換, 對密封性的要求極高, 如果存在泄漏會影響其使用性能和精度, 光通信行業(yè)的漏率標(biāo)準(zhǔn)是小于 5×10-8mbar.l/s, 因此需要進行檢漏.


半導(dǎo)體特殊器件檢漏客戶案例: 某知名半導(dǎo)體公司, 通過上海伯東推薦采購氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340
 

半導(dǎo)體特殊器件檢漏方法
由于器件體積小, 且無法抽真空或直接充入氦氣, 而氦檢漏又離不開氦氣作為示蹤氣體, 所以上海伯東推薦采用”背壓法”檢漏, 具體做法如下:
1. 將被檢器件放入真空保壓罐, 壓力和時間根據(jù)漏率大小設(shè)定
2. 取出器件, 使用空氣或氮氣吹掃表面氦氣
3. 將器件放入真空測試罐, 測試罐連接氦質(zhì)譜檢漏儀
4. 啟動氦質(zhì)譜檢漏儀, 開始檢測


”背壓法”圖示

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