上海 ULVAC-PHI 愛發(fā)科費恩斯
上海伯東代理 ULVAC-PHI 愛發(fā)科費恩斯超高真空表面分析儀器, 包含光電子能譜儀 ( XPS ) ,俄歇電子能譜儀 (AES), 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀 (Tof-SIMS) 和動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀 (D-SIMS ), 應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋納米技術(shù), 太陽能技術(shù), 微電子技術(shù), 存儲介質(zhì), 催化, 生物材料, 藥品以及金屬, 礦物, 聚合物, 復合材料和涂料等基礎(chǔ)材料, 滿足科學研究, 失效分析, 產(chǎn)品質(zhì)量檢測等需要.
光電子能譜儀 PHI GENESIS 500
光電子能譜儀 PHI GENESIS 500 適用于科學研究和高科技產(chǎn)業(yè)等領(lǐng)域, 包含電池, 半導體,光伏, 新能源, 有機器件, 納米顆粒, 催化劑, 金屬材料, 聚合物, 陶瓷等固體材料及器件領(lǐng)域.
硬 X射線光電子能譜儀 GENESIS 900
硬X射線光電子能譜儀 PHI GENESIS 900, 與傳統(tǒng)的 XPS（軟X射線光電子能譜）相比, HAXPES 具有更深的探測深度, 通常可達約 30nm, 適用于多層薄膜, 半導體光電器件等樣品的無損深度分析. 可聚焦≤ 5µm 的微區(qū) X 射線束斑
俄歇電子能譜儀 PHI 710
俄歇電子能譜儀 PHI 710 適用于半導體器件, 微電子器件和材料科學等研究
SEM 像空間分辨率 ≤3 nm, AES 成分像空間分辨率 ≦8nm.
飛行時間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nanoTOF 3+
PHI nanoTOF 3+ 性能指標（用Bi3++初次離子源）
低質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率: ≥ 15,000 m/Δm at m/z = 28Si+ on silicon wafer
絕緣樣品質(zhì)量分辨率: ≥ 15,000 m/Δm at m/z = C7H4O+ on the polymer PET
最小數(shù)斑尺寸: 50nm (最小脈沖束斑直徑)
0.5um (在高質(zhì)量分辨率條件下的最小脈沖束斑直徑）
動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀 ADEPT-1010
動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀 ADEPT-1010 專為淺層半導體注入和絕緣薄膜的自動分析而設(shè)計, 是大多數(shù)半導體開發(fā)和支持實驗室的常用工具. 通過優(yōu)化的二次離子收集光學系統(tǒng)和超高真空設(shè)計, 提供了薄膜結(jié)構(gòu)檢測中的摻雜組分和常見雜質(zhì)所需的靈敏度.